Ontwikkeling simulatiecapaciteit lichtbronnen voor lithografie

De Nederlandse Vrije Universiteit ontwikkelt laser-plasma simulatiecapaciteit om het ontwerp van krachtigere en duurzamere extreem-ultravioletbronnen voor de nanolithografie van de toekomst te begeleiden.

Trefwoorden: #capaciteit, #licht, #lichtbron, #lithografie

Lees verder

research

( Foto: Vrije Universiteit Amsterdam - Ivar Pel )

ENGINEERINGNET.BE - VU-natuurkundige John Sheil, groepsleider bij Advanced Research Center for Nanolithography (ARCNL), gaat recente ontwikkelingen in het simuleren van inertial confinement fusion, ofwel ICF, gebruiken om de meest nauwkeurige en uitgebreide beschrijving van tin-plasma op te bouwen.

Sheil werkt daartoe samen met medewerkers van Los Alamos National Laboratory en Lawrence Livermore National Laboratory. Deze gegevens zullen dan dienen als input voor het tweede deel van het project ARIES.

Dit is gericht op het uitvoeren van grootschalige stralings-hydrodynamische modellering van nieuwe EUV-bron-plasmaconcepten die worden verhit door vaste stof lasers bij een golflengte van 2-micron. Deze simulaties zijn cruciaal om de omstandigheden te vinden die ongekende vermogens in de EUV-bron mogelijk maken. EUV staat voor extreem-ultraviolet.

Sheil: "In de derde fase van ARIES zal ik experimenten bij ARCNL leiden om de door simulaties voorgestelde omstandigheden te testen en te verfijnen. Deze gezamenlijke simulatie-experimentele aanpak is uniek en maakt snelle tests en ontwikkeling van nieuwe EUV-bronconcepten voor toekomstige industrialisatie mogelijk."

Het onderzoek draagt bij aan de chipproductietechnologie van de toekomst. De Nederlandse Organisatie voor Wetenschappelijk Onderzoek (NWO) heeft aan Sheil een Veni-financiering toegekend. Hij kan hiermee in de komende drie jaar zijn eigen onderzoek naar duurzamere EUV-bronnen voor nanolithografie verder ontwikkelen.