ENGINEERINGNET.BE -- De eerste vestiging van EpiGaN werd geopend, op de Research Campus Hasselt, dit in bijzijn van viceminister-president Ingrid Lieten en gouverneur Herman Reynders.
Het jonge bedrijf startte er de volumeproductie op van galliumnitride-op-silicium (GaN-op-Si).
EpiGaN wordt wereldwijd erkend als een belangrijke speler op vlak van die GaN-on-Si technologie. Het is een nieuw materiaal dat een sleutelrol kan spelen in de ontwikkeling van een nieuwe generatie vermogenselektronica. De prestaties van GaN-on-Si liggen veel hoger dan die van de huidige Si elektronica, wat een efficiënter gebruik van energie toelaat.
Mogelijke toepassingen voor GaN-on-Si zijn: efficiëntere voedingsbronnen voor computers, invertoren voor zonne-energie en groenere transporttechnologiëen met een kleinere ecologische voetafdruk.
Vorig jaar heeft EpiGaN de eerste monsters verscheept naar klanten in Europa, de VS en Azië. Nu neemt het jonge bedrijf belangrijke stappen in de verhoging van haar productiecapaciteit. Op dit moment stelt EpiGaN 6 personen te werk, maar er wordt hard gezocht naar bijkomende ingenieurs en commerciële krachten om de stijging in de productie te realiseren.
Marianne Germain, CEO EpiGaN: “We zijn verheugd dat onze nieuwe productieomgeving ons in staat stelt om onze klanten en nieuwkomers op vlak van GaN-on-Si technologie voor de elektronica nog beter te dienen. Veel elektronica fabrikanten zoeken net nu hoe ze toegang tot deze technologie kunnen krijgen voor hun toekomstige applicaties. Het zal ons toelaten om onze klantenbasis te verbreden.”
(KV)
