ENGINEERINGNET -- Onderzoekers van de ETH Zurich, het Paul Scherrer Instituut (PSI) en de Politecnico di Milano ontwikkelden gezamenlijk een productie methode waarmee de halfgeleider germanium dankzij sterke positieve spanning compatibel met gebruik in laser is te maken.
Onlangs verscheen een publicatie hierover in het tijdschrift Nature Photonics waarin het team uit de doeken doet hoe zij de vereiste positieve spanning op efficiënte wijze kunnen genereren.
De wetenschappers laten zien dat ze met hun methode de optische eigenschappen van het voor laser tot nu toe ongeschikte germanium kunnen veranderen. Bij een uitrekking van 3% geeft germanium circa 25 keer meer fotonen af dan in ontspannen toestand.
Individuele atomen van het materiaal gaan hierdoor namelijk een beetje uit elkaar bewegen. Elektronen komen zo op energieniveaus die gunstig zijn voor de vorming van lichte deeltjes, ofwel de fotonen.
Door licht te gebruiken voor de overdracht van gegevens in computers, kan deze sneller en krachtiger werken. Maar dan is het wel nodig om lichtbronnen te ontwikkelen die klein genoeg zijn om op een chip te passen. Ook moeten deze compatibel zijn met silicium, het basismateriaal van computerchips.
Silicium zelf is ongeschikt om in laser te gebruiken. Met de nieuwe methode lukt het nu om uit germanium kleine lasers te maken, terwijl dit germanium ook goed compatibel is met silicium. Doel is zo de prestaties van toekomstige computers sterk te kunnen verhogen.
(LH)
